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參數(shù)資料
| 型號： | IDT6116LA45TDB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| 中文描述： | 2K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | IDT6116LA45TDB |
5.1
7
IDT6116SA/LA
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 2
(1, 2, 4)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1
(1, 3)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 3
(1, 3, 4)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Device is continously selected,
CS
is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with
CS
transition LOW.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured
±
500mV from steady state.
CS
t
ACS
DATA
OUT
t
CLZ(5)
t
CHZ(5)
DATA VALID
3089 drw 08
ADDRESS
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
3089 drw 07
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
ADDRESS
OE
CS
t
RC
t
AA
t
OE
t
ACS
t
CLZ(5)
DATA
OUT
t
OH
t
OLZ(5)
t
OHZ(5)
t
CHZ(5)
3089 drw 06
DATA
VALID
t
PD
I
CC
I
SB
t
PU
V
CC
Supply
Currents
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT6116SA55TDB | CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT6116LA45TPB | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116LA45TPG | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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| IDT6116LA45TPI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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