參數(shù)資料
型號： IDT6116LA35TPB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
中文描述： 的CMOS靜態(tài)RAM 16K的（2K × 8位）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 91K
代理商： IDT6116LA35TPB
5.1
7
IDT6116SA/LA
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 2
(1, 2, 4)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1
(1, 3)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 3
(1, 3, 4)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Device is continously selected,
CS
is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with
CS
transition LOW.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured
±
500mV from steady state.
CS
t
ACS
DATA
OUT
t
CLZ(5)
t
CHZ(5)
DATA VALID
3089 drw 08
ADDRESS
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
3089 drw 07
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
ADDRESS
OE
CS
t
RC
t
AA
t
OE
t
ACS
t
CLZ(5)
DATA
OUT
t
OH
t
OLZ(5)
t
OHZ(5)
t
CHZ(5)
3089 drw 06
DATA
VALID
t
PD
I
CC
I
SB
t
PU
V
CC
Supply
Currents
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT6116LA35Y Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT6116LA45D Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
IDT6116LA45P Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
IDT6116LA45Y CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA55D CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT6116LA35TPG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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