參數(shù)資料
型號(hào)： IDT6116LA35TD
廠(chǎng)商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
中文描述： 2K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP24
封裝： 0.300 INCH, CERDIP-24
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： IDT6116LA35TD
5.1
6
IDT6116SA/LA
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
3089 tbl 12
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5V
±
10%, All Temperature Ranges) (Continued)
6116SA45
6116LA45
6116SA55
(2)
6116LA55
(2)
6116SA70
(2)
6116SA90
(2)
6116LA70
(2)
6116LA90
(2)
6116SA120
(2)
6116LA120
(2)
6116SA150
(2)
6116LA150
(2)
Symbol
READ CYCLE
t
RC
t
AA
t
ACS
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
45
—
—
—
45
45
55
—
—
—
55
50
70
—
—
—
70
65
90
—
—
—
90
90
120
—
—
—
120
120
150
—
—
—
150
150
ns
ns
ns
t
CLZ
(3)
Chip Select to Output in
Low-Z
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
t
OE
Output Enable to Output
Valid
—
25
—
40
—
50
—
60
—
80
—
100
ns
t
OLZ
(3)
Output Enable to Output
in Low-Z
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
t
CHZ
(3)
Chip Deselect to Output
in High-Z
—
20
—
30
—
35
—
40
—
40
—
40
ns
t
OHZ
(3)
Output Disable to Output
in High-Z
Output Hold from
Address Change
—
15
—
30
—
35
—
40
—
40
—
40
ns
t
OH
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
NOTES:
1. 0
°
C to + 70
°
C temperature range only.
2. –55
°
C to + 125
°
C temperature range only.
3. This parameter guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
3089 tbl 13
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5V
±
10%, All Temperature Ranges)
6116SA15
(1)
6116LA15
(1)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
15
t
AA
Address Access Time
—
t
ACS
Chip Select Access Time
—
t
CLZ
(3)
Chip Select to Output in
5
Low-Z
t
OE
Output Enable to Output
—
Valid
t
OLZ
(3)
Output Enable to Output
0
in Low-Z
t
CHZ
(3)
Chip Deselect to Output
—
in High-Z
t
OHZ
(3)
Output Disable to Output
—
in High-Z
t
OH
Output Hold from
5
Address Change
t
PU
(3)
Chip Select to Power-Up
0
Time
t
PD
(3)
Chip Deselect to Power-
—
Down Time
6116SA20
6116LA20
Min.
6116SA25
6116LA25
Min.
6116SA35
6116LA35
Min.
Max.
Max.
Max.
Unit
—
15
15
—
20
—
—
5
—
19
20
—
25
—
—
5
—
25
25
—
35
—
—
5
—
35
35
—
ns
ns
ns
ns
10
—
10
—
13
—
20
ns
—
0
—
5
—
5
—
ns
10
—
11
—
12
—
15
ns
8
—
8
—
10
—
13
ns
—
5
—
5
—
5
—
ns
—
0
—
0
—
0
—
ns
15
—
20
—
25
—
35
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT6116LA35TP Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT6116LA35TPB Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT6116LA35Y Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT6116LA45D Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
IDT6116LA45P Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT6116LA35TDB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24CERDIP
IDT6116LA35TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT6116LA35TPB 制造商:IDT 制造商全稱(chēng):Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA35TPG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24DIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT6116LA35TPGI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24DIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
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