參數(shù)資料
型號(hào)： IDT6116LA35SO
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
中文描述： 2K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, SOIC-24
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： IDT6116LA35SO
5.1
10
IDT6116SA/LA
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
ORDERING INFORMATION
Blank
B
TP
P
TD
D
SO
Y
15
20
25
35
45
55
70
90
120
150
SA
LA
Commercial (0
°
C to +70
°
C)
Military (-55
°
C to + 125
°
C)
Compliant to MIL-STD-883, Class B
300 mil Plastic DIP (P24-1)
600 mil Plastic DIP (P24-2)
300 mil CERDIP (D24-1)
600 mil CERDIP (D24-2)
300 mil Small Outline IC, Gull-Wing Bend (SO24-2)
300 mil SOJ, J-Bend (SO24-4)
Commercial Only
Military Only
Military Only
Military Only
Military Only
Military Only
Standard Power
Low Power
IDT
6116
Device Type
XX
Power
XXX
Speed
X
Package
X
Process/
Temperature
Range
3089 drw 11
Speed in nanoseconds
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT6116LA35TD Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
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IDT6116LA35TPB Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
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參數(shù)描述
IDT6116LA35SO/2316 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT6116LA35SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT6116LA35SOB 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
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