參數(shù)資料
型號(hào)： IDT6116LA20TP
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Dual Enhanced JFET Low-Power Precision Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
中文描述： 2K X 8 STANDARD SRAM, 19 ns, PDIP24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 91K
代理商： IDT6116LA20TP
5.1
5
IDT6116SA/LA
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM
Figure 2. AC Test Load
(for t
OLZ
, t
CLZ
, t
OHZ
,
t
WHZ
, t
CHZ
& t
OW
)
Figure 1. AC Test Load
*Including scope and jig.
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
3089 tbl 11
5pF*
255
5V
480
DATA
OUT
3089 drw 05
3089 drw 04
30pF*
255
5V
DATA
OUT
480
DATA RETENTION MODE
V
CC
CS
t
CDR
4.5V
V
DR
≥
2V
V
DR
4.5V
t
R
V
IH
V
IH
3089 drw 03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
IDT6116LA20TPB 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA20TPG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
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IDT6116LA20TPI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
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