型號: | IDT10A484S8C |
英文描述: | x4 SRAM |
中文描述: | x4的SRAM |
文件頁數(shù): | 1/9頁 |
文件大?。?/td> | 541K |
代理商: | IDT10A484S8C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT10A484S8DF | x4 SRAM |
IDT10A484S8E | x4 SRAM |
IDT10A484S8Y | x4 SRAM |
IDT29FCT520BTQ | Pipeline Register |
IDT29FCT520BTSO | Pipeline Register |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT10A484S8DF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
IDT10A484S8E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
IDT10A484S8Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
IDT10S60C | 功能描述:肖特基二極管與整流器 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
IDT10S60C_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode |