參數(shù)資料
型號： IDP23E60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast Switching EmCon Diode
中文描述： 快速開關(guān)快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 201K
代理商： IDP23E60
2003-07-31
Rev.2
Page 3
IDP23E60
IDB23E60
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Reverse recovery time
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
t
rr
-
-
-
120
164
170
-
-
-
ns
Peak reverse current
V
R
=400V,
I
F
= 23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
I
rrm
-
-
-
17
19.5
21.5
-
-
-
A
Reverse recovery charge
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
Q
rr
-
-
-
970
1580
1770
-
-
-
nC
Reverse recovery softness factor
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=23A, d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
S
-
-
-
4.4
4.8
5
-
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDB23E60 Fast Switching EmCon Diode
IDT10S60C 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDT16S60C 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
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參數(shù)描述
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IDP-2S-20 制造商:MERRIMAC 制造商全稱:MERRIMAC 功能描述:I&Q NETWORKS
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