參數(shù)資料
型號(hào)： IDP18E120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast Switching EmCon Diode
中文描述： 快速開關(guān)快恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 199K
代理商： IDP18E120
2003-07-31
Rev.2
Page 3
IDP18E120
IDB18E120
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Reverse recovery time
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=150°C
t
rr
-
-
-
195
280
300
-
-
-
ns
Peak reverse current
V
R
=800V,
I
F
= 18 A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=150°C
I
rrm
-
-
-
20.2
24.4
25.3
-
-
-
A
Reverse recovery charge
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=150°C
Q
rr
-
-
-
1880
3200
3540
-
-
-
nC
Reverse recovery softness factor
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=800V,
I
F
=18A, d
i
F
/d
t
=800A/μs,
T
j
=150°C
S
-
-
-
5.5
6.6
6.7
-
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDB45E60 Fast Switching EmCon Diode
IDP45E60 Fast Switching EmCon Diode
IDD03E60 Fast Switching EmCon Diode
IDD06E60 Fast Switching EmCon Diode
IDD15E60 Fast Switching EmCon Diode
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