參數(shù)資料
型號： IDB30E120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast Switching EmCon Diode
中文描述： 快速開關快恢復二極管
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 211K
代理商： IDB30E120
2001-12-12
Page 1
IDP30E120
IDB30E120
Preliminary data
Fast Switching EmCon
Feature
Diode
Product Summary
V
RRM
I
F
V
F
T
jmax
1200
V
30
A
1.65
V
150
°C
1200 V EmCon technology
Fast recovery
Soft switching
Low reverse recovery charge
Low forward voltage
Easy paralleling
P-TO220-3.SMD
P-TO220-2-2.
Pin 1
C
PIN 2
A
PIN 3
-
NC
C
A
Marking
D30E120
D30E120
Type
IDP30E120
Package
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4390
IDB30E120
P-TO220-3.SMD Q67040-S4383
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Symbol
V
RRM
I
F
Value
Unit
1200
V
Continous forward current
T
C
=25°C
T
C
=90°C
Surge non repetitive forward current
50
30
A
T
C
=25°C,
t
p
=10 ms, sine halfwave
Maximum repetitive forward current
I
FSM
102
T
C
=25°C,
t
p
limited by
T
jmax
,
D
=0.5
Power dissipation
I
FRM
76.5
T
C
=25°C
T
C
=90°C
P
tot
138
66
W
Operating and storage temperature
Soldering temperature
1.6mm(0.063 in.) from case for 10s
T
j ,
T
stg
T
S
-55...+150
260
°C
°C
相關PDF資料
PDF描述
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IDC05S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC06S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC08S60C 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
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