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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S81600-8TI(G) |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 63/69頁(yè) |
| 文件大小： | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600-8TI(G) |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
66
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
Full Page Random Column Write
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
t
CK2
Burst Length=Full Page, CAS Latency=2
Activate
Bank A
Command
Activate
Hi-Z
Command
Ra
QBa0
Bank B
Write
Command
Bank B
QAa0
Ra
Activate
Command
Bank B
QAb0
QAb1
QBb0
QBb1
QAc0
QAc1
QAc2
QBc0
QBc1
QBc2
Write
Command
Bank A
Precharge
Cc
Rb
Ra
Ca
Cb
Rb
t
RP
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
Command Bank B
(Precharge Termination)
Write Data
is masked
(Bank D)
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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