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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S81600-7T(G) |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 47/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600-7T(G) |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
Integrated Circuit Solution Inc.
51
DR023-0E 6/11/2004
Read and Write Cycle (2 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
t
CK3
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Bank A
Command
Read
Hi-Z
Command
DAb3
QAc0
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
DAb0 DAb1
Bank A
Write
Command
Bank A
QAc3
QAc1
The Read Data
The Write Data
is Masked with a
Zero Clock
RAa
Latency
is Masked with
Two Clock
Latency
RAa
CAb
CAa
CAc
Read
Command
Bank A
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S81600-7TG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7TI | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S81600A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-10T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-10TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S81600-7TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8T(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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