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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S32800L-7T |
| 英文描述： | 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 200萬× 32位× 4個(gè)銀行（256兆）內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 51/62頁 |
| 文件大小： | 879K |
| 代理商： | IC42S32800L-7T |
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IC42S32800
IC42S32800L
Integrated Circuit Solution Inc.
DR046-0B 12/21/2004
51
Figure 17.3.Auto Precharge after Write Burst (Burst Length=4,CAS#Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK3
DBx0 DBx1 DBx2 DBx3
DAy1 DAy2
RAx
RAx
RBx
DAx0DAx1 DAx2 DAx3
DAy0
DAy3
CBx
CAy
CAx
RBx
CBy
RBy
RBy
‘
DBy0 DBy1 DBy2 DBy3
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A9
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
Write
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
High
Write
with
Auto Precharge
Command
Bank B
Write
with
Auto Precharge
Command
Bank B
Write
with
Auto Precharge
Command
Bank A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S32800L-7TG | 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S32800L-7TI | 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S32800L-7TIG | 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC43R32400 | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R32400-4B | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S32800L-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S32800L-7TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S32800L-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
| IC42S81600 | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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