參數(shù)資料
型號(hào)： IC42S32800L-6B
英文描述： 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM
中文描述： 200萬× 32位× 4個(gè)銀行（256兆）內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 49/62頁(yè)
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代理商： IC42S32800L-6B
IC42S32800
IC42S32800L
Integrated Circuit Solution Inc.
DR046-0B 12/21/2004
49
Figure 16.3.Auto Precharge after Read Burst (Burst Length=4,CAS#Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK3
Bx0
Bx1
Bx2
Bx3
Ay1
Ay2
RAx
RAx
RBx
Ax0
Ax1
Ax2
Ax3
Ay0
Ay3
By0
RBx
CBx
By1
By2
By3
CAx
RBy
CBy
RBy
CAy
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
High
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Command
Bank A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IC42S32800L-6BG 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM
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IC42S32800L-6BIG 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM
IC42S32800L-6T 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM
IC42S32800L-6TG 2M x 32 Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM
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參數(shù)描述
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