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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S16800-8TI |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S16800-8TI |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
7
DC CHARACTERISTICS 1
(At V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V , unless otherwise note
d
)
Symbol Parameter
Test Condition
Organization
Max.
-7
Unit
-6
-8
I
CC
1
(1)
Operating Current
One Bank
active
,
CL=3, BL=1
x8
x16
120
140
100
120
100
120
mA
mA
t
RC
= t
RC
(min.)
t
CLK
= t
CLK
(min.)
CKE
≤
V
IL
(
MAX
)
t
CK
= 15 ns
CKE
≤
V
IL
(
MAX
)
CLK
≤
V
IL
(
MAX
)
CS
≥
V
CC
-0.2V
I
CC
2P
Precharge Standby Current
(In Power-Down Mode)
x8/x16
2
2
2
mA
I
CC
2PS
x8/x16
1
1
1
mA
I
CC
2N
(2)
Precharge Standby Current
(In Non Power-Down Mode) CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
x8/x16
25
25
25
mA
t
CK
= 15 ns
CS
≥
V
CC
-0.2V
CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
CKE
≤
V
IL
(
MAX
)
All input signals are stable.
CS
≥
V
CC
-0.2V
I
CC
2NS
x8/x16
15
15
15
mA
I
CC
3N
(2)
Active Standby Current
(In Non Power-Down Mode) CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
x8/x16
30
30
30
mA
t
CK
= 15 ns
CS
≥
V
CC
-0.2V
CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
CKE
≤
V
IL
(
MAX
)
All input signals are stable.
All Banks active
BL=4
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
I
CC
3NS
x8/x16
20
20
20
mA
I
CC
4
Operating Current
(In Burst Mode)
x8
170
120
120
mA
x16
180
130
130
mA
CL latency = 3
Auto-Refresh Current
I
CC
5
t
RC
= t
RC
(
MIN
)
t
CLK
= t
CLK
(
MIN
)
CKE
≤
0.2V
x8/x16
180
1
6
0
1
6
0
mA
I
CC
6
(3, 4)
Self-Refresh Current
x8/x16, normal
x8/x16, Low power
2
2
2
mA
mA
0.8
0.8
0.8
Notes:
1. I
CC
(max) is specified at the output open condition.
2. Input signals are changed one time during 30ns.
3. Normal version: IC42S81600/IC42S16800
4. Low power version: IC42S81600L/IC42S16800L
DC CHARACTERISTICS 2
(V
DD
= 3.3 ± 0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V , unless otherwise note
d
)
Parameter
Input Leakage Current
(Inputs)
Symbol
I
I (L)
Test Condition
0
≤
V
IN
≤
V
DD
(
MAX
)
Pins not under test = 0V
0
≤
V
OUT
≤
V
DD
(
MAX
)
DQ# in H - Z., D
OUT
is disabled
I
OH
= –2 mA
I
OL
= 2 mA
Min
Max
Unit
–10
10
μA
Output Leakage Current
(I/O pins)
I
O (L)
–5
5
μA
High Level Output Voltage
Low Level Output Voltage
V
OH
(DC)
V
OL
(DC)
2.4
—
—
0.4
V
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16800L-6TI(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16800-8TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800-8TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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| IC42S16800D-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16800D-7TLTR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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