參數(shù)資料
型號(hào)： IC42S16160-7TG
英文描述： 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM
中文描述： 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 68/69頁(yè)
文件大?。?/td> 1219K
代理商： IC42S16160-7TG
IC42S16160
68
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
Precharge Termination of a Burst (2 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
High
RAa
RAc
CAa
DAa1
DAa0
QAb0
QAb1
QAb2
QAb3
tDPL
tRP
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
tRCD
tRP
Write Data
is masked
Precharge Termination
of a Write Burst.
Precharge Termination
of a Read Burst.
t
RAS
*BS0
Burst Length=8, CAS Latency=3
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PDF描述
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