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2SK3569

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  • 型號
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  • 2SK3569
    2SK3569

    2SK3569

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18320850923

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 91

  • TOSHIBA/東芝

  • TO220

  • 12+

  • -
  • 真芯合作銳意進取

  • 2SK3569
    2SK3569

    2SK3569

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:

    電話:0755-836658130755-83465652

    地址:深南中路佳和大廈B座907

  • 80

  • TOSHIBA

  • TO-220F

  • 13+

  • -
  • █100%現(xiàn)貨█可開17%增票█可申請免...

  • 2SK3569
    2SK3569

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  • 深圳市華金瑞電子有限公司
    深圳市華金瑞電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:15323844149

    地址:中航路華強電子世界三店佳和電子市場

  • 1450

  • TOSHIBA

  • TO-220F原條

  • 07PB

  • -
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2SK3569 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2SK3569 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.4 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準包裝:50 2SK3565(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1150pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準包裝:50 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準包裝:50 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準包裝:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:200mW 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準包裝:1 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747
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