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2SK3737-5-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • 2SK3737-5-TL-E
    2SK3737-5-TL-E

    2SK3737-5-TL-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • SANYO

  • SOT-323

  • 12+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
2SK3737-5-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 15V 30MA 3MCP
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET
  • 系列
  • -
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • MOSFET SOT-23-3 Pkg
  • 標準包裝
  • 3,000
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • N 通道 JFET
  • 頻率
  • -
  • 增益
  • -
  • 電壓 - 測試
  • -
  • 額定電流
  • 30mA
  • 噪音數(shù)據(jù)
  • -
  • 電流 - 測試
  • -
  • 功率 - 輸出
  • -
  • 電壓 - 額定
  • 25V
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1558 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
2SK3737-5-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3720-5-TB-E 功能描述:FET RF 15V 100MHZ 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:N 通道 頻率:100MHz 增益:35dB 電壓 - 測試:10V 額定電流:30mA 噪聲系數(shù):2dB 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SK3711 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8000pF @ 10V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1,000 2SK3710 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220S 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):85A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8400pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220S 標準包裝:1,000 2SK3709 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):37A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SK3708 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):73nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ 2SK3796-2-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-4-TL-E 2SK3800 2SK3800VL 2SK3800VR 2SK3801 2SK3811-ZP-E1-AY 2SK3813-AZ 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E
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