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STD750BLK01

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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    STD750BLK01

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號(hào)/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3564

  • VCC

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 23+

  • -
  • 真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
STD750BLK01 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • LED 電路板指示器 Red LED 5mm w/ .75" Standoff
  • RoHS
  • 制造商
  • Lumex
  • LED 大小
  • 3 mm
  • 照明顏色
  • Green
  • 波長(zhǎng)
  • 565 nm
  • 光強(qiáng)度
  • 30 mcd
  • 安裝類型
  • SMD/SMT
  • 顯示角
  • 60 deg
  • 封裝
  • Reel
STD750BLK01 技術(shù)參數(shù)
  • STD724T4 功能描述:TRANS NPN 30V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.1V @ 150mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,2V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD70NS04ZL 功能描述:MOSFET N-CH 33V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SAFeFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):33V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):32nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1800pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD70NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2050pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD70N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD70N2LH5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 48A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):48A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.1 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD7N80K5 STD7N90K5 STD7NK30Z STD7NK40ZT4 STD7NM50N STD7NM50N-1 STD7NM60N STD7NM64N STD7NM80 STD7NM80-1 STD7NS20T4 STD80N10F7 STD80N4F6 STD80N6F6 STD815CP40 STD826T4 STD830CP40 STD840DN40
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