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STD840DN40

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STD840DN40
    STD840DN40

    STD840DN40

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STMICROEL

  • TUBE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STD840DN40
    STD840DN40

    STD840DN40

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
STD840DN40 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT Dual NPN High Volt 400V Vceo 700V Vcbo
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
STD840DN40 技術(shù)參數(shù)
  • STD830CP40 功能描述:TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 200mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):18 @ 700mA,5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:8-DIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STD826T4 功能描述:TRANS PNP 30V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.1V @ 150mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD815CP40 功能描述:TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,350mA 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):16 @ 350mA,5V 功率 - 最大值:2.6W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:8-DIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STD80N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):122nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD80N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2150pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD8NF25 STD8NM50N STD8NM60N STD8NM60N-1 STD8NM60ND STD901T STD90N02L STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3 STD90NH02LT4 STD90NS3LLH7 STD95N04 STD95N2LH5 STD95N3LLH6 STD95N4F3 STD95N4LF3
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