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配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMR100HZPFU6L00
優(yōu)勢
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室
2000
ROHM
2512 [6432 (mm)], 1%
21+
-
只做原裝，型號齊全，價格優(yōu)惠。

PMR100HZPFU6L00
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8000
ROHM
2512 [6432 (mm)], 1%
21+
-
瑞智芯只有原裝

PMR100HZPFU6L00
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
16
ROHM
con
24+
-
電阻器

PMR100HZPFU6L00
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
16
ROHM
con
24+
-
電阻器

PMR100HZPFU6L00
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Rohm Semiconductor
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMR100HZPFU6L00
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
ROHM
2512
2011
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

PMR100HZPFU6L00
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
ROHM
標準封裝
2011+
-

PMR100HZPFU6L00
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
100
ROHM
C22-電阻器
-

PMR100HZPFU6L00
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
222000
ROHM
2512
2011
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

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1

您是不是要找： PMR100HZPFU7L00 PMR100HZPFU8L00 PMR100HZPFU9L00 PMR100HZPFV1L00 PMR100HZPFV1L50 PMR100HZPFV2L00 PMR100HZPFV3L00 PMR100HZPFV4L00 PMR100HZPJU10L

PMR100HZPFU6L00 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMR100HZPFU6L00 PDF下載

功能描述
RES .006 OHM 2W 1% 2512 SMD
RoHS
是
類別
電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
系列
PMR100
特色產(chǎn)品
CSR Series Chip Resistors
標準包裝
2,000
系列
CSR
電阻（歐姆）
0.01
功率（瓦特）
1W
復合體
金屬元素
特點
電流檢測
溫度系數(shù)
±50ppm/°C
容差
±1%
封裝/外殼
1206（3216 Metric），Strip
尺寸/尺寸
0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）
高度
0.024"（0.60mm）
端子數(shù)
2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
CSR1206-0R01F1TR

PMR100HZPFU6L00 技術(shù)參數(shù)

PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB45EPAX 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMR100HZPJU5L0 PMR100HZPJU6L0 PMR100HZPJU7L0 PMR100HZPJU8L0 PMR100HZPJU9L0 PMR100HZPJV10L PMR100HZPJV1L0 PMR100HZPJV1L5 PMR100HZPJV2L0 PMR100HZPJV2L2 PMR100HZPJV3L0 PMR100HZPJV4L0 PMR10EZPFU10L0 PMR10EZPFU5L00 PMR10EZPFU6L00 PMR10EZPFU7L00 PMR10EZPFU8L00 PMR10EZPFU9L00