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PMR18EZPFU9L00

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  • PMR18EZPFU9L00
    PMR18EZPFU9L00

    PMR18EZPFU9L00

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Rohm Semiconductor

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PMR18EZPFU9L00
    PMR18EZPFU9L00

    PMR18EZPFU9L00

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • ROHM

  • -

  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
PMR18EZPFU9L00 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • RES .009 OHM 3/4W 1% 1206 SMD
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
  • 系列
  • PMR18
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • ERA-(2,6)A Series
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • ERA-6A
  • 電阻（歐姆）
  • 1M
  • 功率（瓦特）
  • 0.125W，1/8W
  • 復合體
  • 薄膜
  • 特點
  • -
  • 溫度系數(shù)
  • ±25ppm/°C
  • 容差
  • ±0.1%
  • 封裝/外殼
  • 0805（2012 公制）
  • 尺寸/尺寸
  • 0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）
  • 高度
  • 0.024"（0.60mm）
  • 端子數(shù)
  • 2
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 2242 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • P1MDADKR
PMR18EZPFU9L00 技術參數(shù)
  • PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 感應距離:393.701"（10m） 感應方法:反射 輸出類型:- 響應時間:20ms，30ms 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊，導線引線 工作溫度:-25°C ~ 55°C 標準包裝:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMR18EZPJV2L0 PMR18EZPJV3L0 PMR18EZPJV4L0 PMR205AC6470M047R30 PMR205AC6470M220R30 PMR209MB5470M047R30 PMR209MB5470M100R30 PMR209MC6100M022R30 PMR209MC6100M047R30 PMR209MC6100M100R30 PMR209MC6100M220R30 PMR209MC6100M470R30 PMR209MC6220M022R30 PMR209MC6220M047R30 PMR209MC6220M100R30 PMR209MC6220M220R30 PMR209ME6470M047R30 PMR209ME6470M100R30
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