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PMBFJ109T/R

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  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門(mén)市部:中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9000

  • NXP

  • N/A

  • -
  • 低至:¥1.137[國(guó)外訂貨](méi)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 40MA I(DSS) | TO-236
PMBFJ109T/R 技術(shù)參數(shù)
  • PMBFJ109,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):40mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):6V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):30pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開(kāi)):12 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ108,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):80mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):10V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):30pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開(kāi)):8 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBF4393,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):500mV @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開(kāi)):100 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBF4392,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBF4391,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):4V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開(kāi)):30 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ309,215 PMBFJ310,215 PMBFJ620,115 PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR
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