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PMBFJ308,215

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PMBFJ308,215
    PMBFJ308,215

    PMBFJ308,215

    現(xiàn)貨
  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖先生

    電話：13612973190

    地址：廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室

  • 0

  • 6000

  • SOT-23-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • PMBFJ308,215
    PMBFJ308,215

    PMBFJ308,215

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NXP/恩智浦

  • SOT-23-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • PMBFJ308,215
    PMBFJ308,215

    PMBFJ308,215

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1725+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • PMBFJ308,215
    PMBFJ308,215

    PMBFJ308,215

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
PMBFJ308,215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 漏源電壓 VDS
  • 40 V
  • 閘/源截止電壓
  • 5 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 40 V
  • 最大漏極/柵極電壓
  • 40 V
  • 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）
  • 25 mA to 75 mA
  • 漏極連續(xù)電流
  • 功率耗散
  • 250 mW
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-23
  • 封裝
  • Reel
PMBFJ308,215 技術(shù)參數(shù)
  • PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:800mV @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:300 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:250 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ175,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:7mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:125 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:85 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:100 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115
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