DS1976-102M-B

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制造商
TE Connectivity
功能描述

DS1976-102M-B 技術參數(shù)

DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.01 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:207 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3.6A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1886T+T 功能描述:接口 - 專用 PON ONU/SFP CTRLR W/DIG LDD INT RoHS:否制造商:Texas Instruments 產品類型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作電源電壓:1.8 V 電源電流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:BGA-59 DS1886T+ 功能描述:接口 - 專用 PON ONU/SFP CTRLR W/DIG LDD INT RoHS:否制造商:Texas Instruments 產品類型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作電源電壓:1.8 V 電源電流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:BGA-59 DS1976-681M DS1977-F5# DS1982-F3# DS1982-F3+ DS1982-F5+ DS1985-F3+ DS1985-F5+ DS1990A-F3+ DS1990A-F5+ DS1990R-F3# DS1990R-F5# DS1992L-F5+ DS1993L-F5+ DS1995L-F5+ DS1996L-F5+ DS1D7AQ3 DS1D7BQ3 DS1E-M-DC1.5V