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配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DS1985-F3+
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MAXIM
CAN
10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

DS1985-F3+
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
250000
MAXIM
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

DS1985-F3+
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Maxim Integrated
標準封裝
16+
-
原裝正品，質(zhì)量保障假一罰十

DS1985-F3+
深圳市訊順達科技有限公司
深圳市訊順達科技有限公司
聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A座15KL
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4200
Dallas
PDIP
23+
-
全新原裝歡迎詢價下單

DS1985-F3+
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
10000
MAXIM
CAN
2012+
-
只做原裝正品。

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功能描述
iButton 16Kb Add-Only iButton
RoHS
否
存儲類型
SRAM
存儲容量
512 B
組織
工作電源電壓
3 V to 5.25 V
接口類型
1-Wire
最大工作溫度
+ 85 C
尺寸
17.35 mm x 5.89 mm
封裝 / 箱體
F5 MicroCan
制造商
Maxim Integrated

DS1985-F3+ 技術(shù)參數(shù)

DS1976-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.08 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.4A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.4A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:97 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.01 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:207 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3.6A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1D7AQ3 DS1D7BQ3 DS1E-M-DC1.5V DS1E-M-DC1.5V-R DS1E-M-DC12V DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V DS1E-M-DC5V DS1E-M-DC5V-R DS1E-M-DC6V DS1E-M-DC9V DS1E-M-DC9V-R DS1E-ML2-DC1.5V DS1E-ML2-DC12V DS1E-ML2-DC24V DS1E-ML2-DC24V-R