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CSD25303W1015

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深圳市琦凌凱科技有限公司
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聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
TI
DSBGA6
22+
-
十年配單，只做原裝

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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
638850
TI
DSBGA6
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

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深圳市歐和寧電子有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室
5490
TI
新年份
BGA-6
-
自己現(xiàn)貨特價

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6010
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DSBGA6
13+
-
原裝正品現(xiàn)貨庫存

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深圳市硅宇電子有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
TI
DSBGA
1301+
-
原廠特價貨源

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TEXAS
原廠封裝
最新批號
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代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

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深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
69860
TI/德州儀器
2020+
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大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

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功能描述
MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD25303W1015 技術(shù)參數(shù)

CSD25302Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-SON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25301W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25213W10 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:47 毫歐 @ 1A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:478pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25211W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:570pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25202W15T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1010pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25481F4 CSD25481F4T CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H