您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊
您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > C字母型號搜索 > C字母第4788頁 >

CSD25501F3T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 321161

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國上海

  • 321161

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321161

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD25501F3T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • P 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 3.6A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 1.8V，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.05V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 1.33nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • -20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 385pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 500mW（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 76 毫歐 @ 400mA，4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 3-LGA（0.73x0.64）
  • 封裝/外殼
  • 3-XFLGA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD25501F3T 技術(shù)參數(shù)
  • CSD25485F5 功能描述:20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.2A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:533pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 900mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25484F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.42nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25483F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:205 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.96nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25483F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:205 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.959nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A CSD4-7152/39-26-4A CSD4-7152/39-26-5A CSD4-7152/39-26-7A CSD4-7152/39-29-5B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*
配單專家

在采購CSD25501F3T進(jìn)貨過程中，您使用搜索有什么問題和建議？點(diǎn)此反饋

友情提醒：為規(guī)避購買CSD25501F3T產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購買CSD25501F3T相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明：以上所展示的CSD25501F3T信息由會員自行提供，CSD25501F3T內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (m.beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號