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BUZ83A

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BUZ83A
    BUZ83A

    BUZ83A

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PHI

  • N/A

  • -
  • 百分百原裝正品,質(zhì)量保障價(jià)格及優(yōu)

  • BUZ83A
    BUZ83A

    BUZ83A

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5886

  • MOT

  • TO-3

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝正品,假一罰十

  • BUZ83A
    BUZ83A

    BUZ83A

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴(lài)先生

    電話(huà):0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 118992

  • YXYBDT臺(tái)灣

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

  • BUZ83A
    BUZ83A

    BUZ83A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

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  • 1
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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱(chēng)
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • main ratings
BUZ83A 技術(shù)參數(shù)
  • BUZ80A 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73LHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 3.5A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 3.5A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0 BV020-5374.0 BV020-5375.0 BV020-5376.0 BV020-5377.0 BV020-5378.0 BV020-5382.0 BV020-5383.0 BV020-5384.0 BV020-5385.0 BV020-5386.0 BV020-5387.0 BV020-5388.0 BV020-5389.0
配單專(zhuān)家

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