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BT00433

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  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • CONTACT SPRING AA/A
  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • CONTACT, SPRING, AA/A
  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • SPRING CONTACT, BATTERY CONTACT; Battery Sizes Accepted
BT00433 技術(shù)參數(shù)
  • BT/RT-18X26.5-A 功能描述:SPECIAL TRIM FOR 82387-0027 制造商:omron automation and safety 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ900N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15.2A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 30μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):11.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 7.6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ900N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 7.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 30μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ900N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):510pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ900N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):510pF @ 75V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C BT1.5M-C0 BT1.5M-M BT1.5M-M0 BT1.5M-M30
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