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BSM150GB170DN2E3166

配單專家企業(yè)名單
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  • BSM150GB170DN2E3166
    BSM150GB170DN2E3166

    BSM150GB170DN2E3166

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EUPEC

  • 模塊

  • 03+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BSM150GB170DN2E3166
    BSM150GB170DN2E3166

    BSM150GB170DN2E3166

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • EUPEC

  • 正品封裝

  • 23+

  • -
  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

  • BSM150GB170DN2E3166
    BSM150GB170DN2E3166

    BSM150GB170DN2E3166

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • EUPEC

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
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  • BSM150GB170DN2E3166
    BSM150GB170DN2E3166

    BSM150GB170DN2E3166

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 210

  • INFINEON

  • IGBT

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫存假一罰十,電話:0...

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
BSM150GB170DN2E3166 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
BSM150GB170DN2E3166 技術(shù)參數(shù)
  • BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 壓力類型:排氣式壓力計 工作壓力:15 PSI(103.42 kPa) 輸出類型:模擬電壓 輸出:0 mV ~ 79.5 mV(3V) 精度:±2% 電壓 - 電源:6V 端口尺寸:- 端口樣式:無端口 特性:- 端子類型:表面貼裝型 最高壓力:45 PSI(310.26 kPa) 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-CLCC 供應(yīng)商器件封裝:8-LCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY
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