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BSM100GB120DN2E3256

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  • BSM100GB120DN2E3256
    BSM100GB120DN2E3256

    BSM100GB120DN2E3256

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • EUPEC

  • MODULE

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  • 功能描述
  • IGBT 模塊 IGBT POWER MODULE
  • RoHS
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產(chǎn)品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
BSM100GB120DN2E3256 技術(shù)參數(shù)
  • BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 壓力類型:排氣式壓力計 工作壓力:15 PSI(103.42 kPa) 輸出類型:模擬電壓 輸出:0 mV ~ 79.5 mV(3V) 精度:±2% 電壓 - 電源:6V 端口尺寸:- 端口樣式:無端口 特性:- 端子類型:表面貼裝型 最高壓力:45 PSI(310.26 kPa) 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-CLCC 供應(yīng)商器件封裝:8-LCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效 電池類型,功能:9V,卡入式觸點(單) 樣式:觸點,卡入式(負(fù)極) 電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義 端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1
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