AUIRFN8403TRPBF

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

AUIRFN8403TRPBF.
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
IR
QFN
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AUIRFN8403TRPBF
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
69800
IR
近兩年生產(chǎn)
DFN-8
-
每一片都來自原廠

AUIRFN8403TRPBF.
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
50000
IR
QFN5X6
1417+
-
全新原裝現(xiàn)貨

AUIRFN8403TRPBF
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
50000
IR
QFN5X6
14+
-
公司現(xiàn)貨庫存，全新原裝正品。假一罰十,可...

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AUIRFN8403TRPBF 技術(shù)參數(shù)

AUIRFN8403TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.3 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3174pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-PQFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRFN8401TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2170pF @ 25V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PQFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRFN7110TR 功能描述:MOSFET NCH 100V 58A PQFN 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3050pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-PQFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRFN7107TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:77nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.4W（Ta），125W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 45A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PQFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRFL024NTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 2.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AUIRFP4110 AUIRFP4310Z AUIRFP4409 AUIRFP4568 AUIRFP4568-E AUIRFR024N AUIRFR1018E AUIRFR120Z AUIRFR120ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR2405 AUIRFR2407 AUIRFR2607Z AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL AUIRFR3504 AUIRFR3504TRL