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APTMC120HM17CT3AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產品

  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 273530

  • MICROCHIP

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 273530

  • MICROCHIP

  • con

  • 24+

  • -

  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • APTMC120HM17CT3AG
    APTMC120HM17CT3AG

    APTMC120HM17CT3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTMC120HM17CT3AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC MOSFET
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 4 個 N 通道
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 147A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 17 毫歐 @ 100A，20V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 30mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 332nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 5576pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
  • 750W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應商器件封裝
  • SP3
  • 標準包裝
  • 1
APTMC120HM17CT3AG 技術參數
  • APTMC120AM55CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120AM25CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:105A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 4mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:197nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 1000V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120AM20CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:143A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:360nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:131A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A
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