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APTMC120AM12CT3AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTMC120AM12CT3AG
    APTMC120AM12CT3AG

    APTMC120AM12CT3AG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTMC120AM12CT3AG
    APTMC120AM12CT3AG

    APTMC120AM12CT3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
APTMC120AM12CT3AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 N 溝道（相角）
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 220A
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 12 毫歐 @ 150A，20V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.4V @ 30mA（標(biāo)準(zhǔn)）
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 483nC @ 20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 8400pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
  • 925W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SP3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTMC120AM12CT3AG 技術(shù)參數(shù)
  • APTMC120AM09CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:295A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120AM08CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:250A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 10mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:490nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9500pF @ 1000V 功率 - 最大值:1100W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM60H23FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:276 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM60A23FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:276 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM60A11FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:132 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10552pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG
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