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APTM100VDA35T3G

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  • APTM100VDA35T3G
    APTM100VDA35T3G

    APTM100VDA35T3G

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生

    電話：137602720171348786585218520805148

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 57675

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Dual Boost chopper MOSFET Power Module
APTM100VDA35T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTM100UM65SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:145A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1068nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:28500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3250W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SP6 封裝/外殼:模塊 標準包裝:1 APTM100UM65SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:145A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM65DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:145A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM60FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:129A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 64.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1116nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:31100pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM45FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:215A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 107.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG
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