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APTM-AMBPA012-001

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  • APTM-AMBPA012-001
    APTM-AMBPA012-001

    APTM-AMBPA012-001

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • AMPHENOL LTW

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • APTM-AMBPA012-001
    APTM-AMBPA012-001

    APTM-AMBPA012-001

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 2000

  • AMPHENOL LTW

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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APTM-AMBPA012-001 技術(shù)參數(shù)
  • APTM60H23FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:276 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM60A23FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:276 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM60A11FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:132 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10552pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50UM25SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 149A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:149A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 74.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:364nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:17500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50UM19SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 163A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:163A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 81.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG
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