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APT75M50B2MI

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  • APT75M50B2MI
    APT75M50B2MI

    APT75M50B2MI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • T-MAX?

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

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APT75M50B2MI 技術(shù)參數(shù)
  • APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GT120JU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GT120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 97A 480W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):97A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.7V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):5.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):1.25mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):7.04nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B
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