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AOW2918

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  • 型號
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AOW2918 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 100V 90A TO262
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOW2918 技術參數
  • AOW290 功能描述:MOSFET NCH 100V 140A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17.5A(Ta), 140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7180pF @ 50V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AOW284 功能描述:MOSFET N-CH 80V 15A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5154pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:1,000 AOW25S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1278pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:1,000 AOW2502 功能描述:MOSFET NCH 150V 106A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta), 106A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3010pF @ 75V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AOW2500 功能描述:MOSFET N-CH 150V 152A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Ta),152A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):136nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6460pF @ 75V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:1,000 AOW482 AOW4S60 AOW7S60 AOW7S65 AOWF10N60 AOWF10N65 AOWF10T60 AOWF10T60P AOWF11A60 AOWF11C60 AOWF11N60 AOWF11N70 AOWF11S60 AOWF11S65 AOWF12N50 AOWF12N60 AOWF12N65 AOWF12T60
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