AOY516

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AOY516
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
IPAK/TO-251
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

AOY516
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3266
AOS
TO-251B
2207+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

AOY516
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS
TO251B
NA
-
原裝現(xiàn)貨

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制造商
AOSMD
制造商全稱
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
30V N-Channel AlphaMOS

AOY516 技術(shù)參數(shù)

AOY514 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1187pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251B 標準包裝:70 AOY423 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251B 標準包裝:3,500 AOY4158P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過期標準包裝:1 AOY2N60 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251 標準包裝:3,500 AOY2610E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-251B 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 標準包裝:3,500 AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5 AOZ1024DI_6 AOZ1024DI_7 AOZ1025DIL AOZ1031AI AOZ1033AI AOZ1034DI