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AON6354

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  • AON6354
    AON6354

    AON6354

    現(xiàn)貨
  • 東莞鼎岑科技有限公司
    東莞鼎岑科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18925581989

    地址:廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村大道445號北鉅業(yè)大夏319室

  • 0

  • AOS

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  • AON6354
    AON6354

    AON6354

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 3000

  • AOS盤3K

  • DFN

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • AON6354
    AON6354

    AON6354

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • DFN

  • 最新批號

  • -
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  • AON6354
    AON6354

    AON6354

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人:許先生

    電話:18898761413

    地址:華強北都會軒4507

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • AOS/萬代

  • DFN5x6-8LEP1

  • 24+

  • -
  • 原裝正品,可含稅供應。品質(zhì)保障

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
AON6354 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 83A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 35nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 1330pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 36W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 3.3 毫歐 @ 20A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 標準包裝
  • 3,000
AON6354 技術參數(shù)
  • AON6314 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):85A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):32.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標準包裝:3,000 AON6312 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):85A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.85 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標準包裝:3,000 AON6298 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14.5A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1307pF @ 50V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:3,000 AON6294 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta),52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2265pF @ 50V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3830pF @ 50V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:3,000 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400 AON6400L_002 AON6403 AON6404 AON6404A AON6404A_001 AON6405L AON6407 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001 AON6413
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