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A2G55001PHB

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A2G55001PHB
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9800
MEDL
DIP-40
18+
-
優(yōu)勢庫存，原裝現(xiàn)貨

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A2G55001PHB 技術(shù)參數(shù)

A2G35S200-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:16.1dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:291mA 功率 - 輸出:180W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應(yīng)商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G35S160-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:15.7dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:190mA 功率 - 輸出:51dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應(yīng)商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G26H281-04SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:2.496GHz ~ 2.69GHz 增益:14.2dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:50W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-780S-4L 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-4L 標準包裝:250 A2G26H280-04SR3 A2G22S251-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 2.2GHz 增益:17.7dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:52dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應(yīng)商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2I20H060NR1 A2I20H080GNR1 A2I20H080NR1 A2I22D050GNR1 A2I22D050NR1 A2I25D012GNR1 A2I25D012NR1 A2I25D025GNR1 A2I25D025NR1 A2I25H060GNR1 A2I25H060NR1 A2I35H060GNR1 A2I35H060NR1 A-2JA A2MXS-1006G A2MXS-1006M A2MXS-1018G A2MXS-1018M