A2I08H040NR1

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說明
操作

A2I08H040NR1
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
NXP USA Inc.
IC RF LDMOS AMP
22+
-

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功能描述
RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WB-15
制造商
freescale semiconductor - nxp
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
920MHz
增益
30.7dB
電壓 - 測試
28V
額定電流
-
噪聲系數(shù)
-
電流 - 測試
25mA
功率 - 輸出
9W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
TO-270-15 變式，扁平引線
供應商器件封裝
TO-270WB-15
標準包裝
500

A2I08H040NR1 技術參數(shù)

A2I08H040GNR1 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:920MHz 增益:30.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:25mA 功率 - 輸出:9W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:TO-270-15 變型，鷗翼供應商器件封裝:TO-270WBG-15 標準包裝:500 A2G35S200-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:16.1dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:291mA 功率 - 輸出:180W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G35S160-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:15.7dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:190mA 功率 - 輸出:51dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G26H281-04SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:2.496GHz ~ 2.69GHz 增益:14.2dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:50W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-780S-4L 供應商器件封裝:NI-780S-4L 標準包裝:250 A2G26H280-04SR3 A2I20H080NR1 A2I22D050GNR1 A2I22D050NR1 A2I25D012GNR1 A2I25D012NR1 A2I25D025GNR1 A2I25D025NR1 A2I25H060GNR1 A2I25H060NR1 A2I35H060GNR1 A2I35H060NR1 A-2JA A2MXS-1006G A2MXS-1006M A2MXS-1018G A2MXS-1018M A2MXS-1036G A2MXS-1036M