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70T631S10BFGI

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70T631S10BFGI 技術(shù)參數(shù)
  • 70T631S10BF8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 4M-Bit 256K x 18 10ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 2.5V 4.5MBIT 256KX18 10NS 208FPBGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:256K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM 70T631S10BF 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 70T631S10BCI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 4M-Bit 256K x 18 10ns 256-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 2.5V 4.5MBIT 256KX18 10NS 256BGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:256K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM 70T631S10BCI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K X 18 STD-PWR, 2.5V DUAL PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 70T3799MS166BBG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 2.5V 9M-Bit 128K x 72-Bit 12ns/3.6ns 324-Pin BGA Tray 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 9MBIT 128K X 72 12NS/3.6NS 324BGA - Trays 70T633S10BCI 70T633S10BCI8 70T633S10BF 70T633S10BF8 70T633S10BFG 70T633S10BFG8 70T633S10BFI 70T633S10BFI8 70T633S12BC 70T633S12BC8 70T633S12BCI 70T633S12BCI8 70T633S12BFGI 70T633S12BFGI8 70T633S12BFI 70T633S12BFI8 70T633S15BC 70T633S15BC8
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