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2SK4178-S27-AY

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  • 制造商
  • NEC
  • 制造商全稱
  • NEC
  • 功能描述
  • MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK4178-S27-AY 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4177-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:100 2SK4177-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SK4177-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:1 2SK4171 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):135nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6900pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:100 2SK4151TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.95 歐姆 @ 500mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):98pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F)
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