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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-220F-3FS
SANYO
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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3460
ON SEMICO
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全新原裝現(xiàn)貨

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深圳市琦凌凱科技有限公司
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聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
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6000
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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
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聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
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深圳市華芯源電子有限公司
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聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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ON/安森美
TO-220F-3
22+
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深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
59990
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深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
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聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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功能描述
MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2SK4197FS 技術(shù)參數(shù)

2SK4196LS-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.56 歐姆 @ 2.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:360pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3FS 標準包裝:50 2SK4196LS 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.56 歐姆 @ 2.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:360pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK4181-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:920 毫歐 @ 3.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 30V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:ZP 標準包裝:1 2SK4177-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:100 2SK4177-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F)