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2SK3670(F,M)

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

您是不是要找： 2SK3670(T6CANO,A,F 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707

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功能描述
MOSFET N-CH
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
*
包裝
散裝
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-92MOD
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

2SK3670(F,M) 技術(shù)參數(shù)

2SK3666-4-TB-E 功能描述:JFET N-CH 30V 0.2W CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:200 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK3666-3-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:200 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3666-2-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:600μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:200 歐姆安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3662(F) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.5 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5120pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747 2SK3747-1E 2SK3747-MG8 2SK3748 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F)