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2SK2958L

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • RENESAS

  • TO-252

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  • 2SK2958L
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • N/A

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

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2SK2958L 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2943 功能描述:MOSFET N-CH 900V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2917(F) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3720pF @ 10V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）IS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2916(F) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）IS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2887TL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2883(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:750pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2967(F) 2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989(TPE6,F,M) 2SK2989,F(J 2SK2989,T6F(J 2SK2993(TE24L,Q) 2SK2995(F) 2SK3003 2SK3004 2SK3018T106 2SK3018-TP 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L 2SK302500L 2SK303000L 2SK303100L
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