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2SK3075(TE12L,Q)

配單專家企業(yè)名單
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  • 2SK3075(TE12L,Q)
    2SK3075(TE12L,Q)

    2SK3075(TE12L,Q)

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 2SK3075(TE12L,Q)
    2SK3075(TE12L,Q)

    2SK3075(TE12L,Q)

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Toshiba Semiconductor and

  • MOSF RF N CH 30V 5A

  • 22+

  • -
  • 2SK3075(TE12L,Q)
    2SK3075(TE12L,Q)

    2SK3075(TE12L,Q)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 271

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
2SK3075(TE12L,Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
2SK3075(TE12L,Q) 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3074TE12LF 功能描述:MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:520MHz 增益:14.9dB 電壓 - 測(cè)試:9.6V 額定電流:1A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:50mA 功率 - 輸出:630mW 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3068(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):520 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2040pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3065T100 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 1A,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):160pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3064G0L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 歐姆 @ 10mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK306400L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 歐姆 @ 10mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL
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