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2N647616

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說明
操作

2N647616
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
36200
原廠原裝
18+
-
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢供應

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk

2N647616 技術參數(shù)

2N6438 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N6436 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N6433 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6432 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6431 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6497 2N6497G 2N6502 2N6504G 2N6505G 2N6505TG 2N6507G 2N6507TG 2N6508G 2N6508TG 2N6509G 2N6509T 2N6509TG 2N6515 2N6515RLRM 2N6515RLRMG 2N6517 2N6517BU