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    2N6433

    配單專家企業(yè)名單
    • 型號
    • 供應商
    • 數(shù)量
    • 廠商
    • 封裝
    • 批號
    • 價格
    • 說明
    • 操作
    • 2N6433
      2N6433

      2N6433

    • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
      北京元坤偉業(yè)科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

      資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

    • 5000

    • -
    • 假一罰十,百分百原裝正品

    • 2N6433
      2N6433

      2N6433

    • 深圳市時興宇電子有限公司
      深圳市時興宇電子有限公司

      聯(lián)系人:彭先生

      電話:0755-830415598397218513430523058

      地址:深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

    • 9331

    • MOT

    • CAN

    • 12+

    • -
    • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

    • 2N6433
      2N6433

      2N6433

    • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
      北京首天偉業(yè)科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

      資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

    • 10000

    • MOT

    • CAN

    • 15+

    • -
    • 原裝正品,假一罰十

    • 1/1頁 40條/頁 共19條 
    • 1
    2N6433 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
    • 功能描述
    • 兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage
    • RoHS
    • 制造商
    • STMicroelectronics
    • 配置
    • 晶體管極性
    • PNP
    • 集電極—基極電壓 VCBO
    • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
    • - 40 V
    • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
    • - 6 V
    • 集電極—射極飽和電壓
    • 最大直流電集電極電流
    • 增益帶寬產(chǎn)品fT
    • 直流集電極/Base Gain hfe Min
    • 100 A
    • 最大工作溫度
    • 安裝風格
    • SMD/SMT
    • 封裝 / 箱體
    • PowerFLAT 2 x 2
    2N6433 技術(shù)參數(shù)
    • 2N6432 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):200V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):250nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6431 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6430 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):200V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6428ATA 功能描述:TRANS NPN 50V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):25nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:700MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N6428ABU 功能描述:TRANS NPN 50V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):25nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:700MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10,000 2N6491 2N6491G 2N6497 2N6497G 2N6502 2N6504G 2N6505G 2N6505TG 2N6507G 2N6507TG 2N6508G 2N6508TG 2N6509G 2N6509T 2N6509TG 2N6515 2N6515RLRM 2N6515RLRMG
    配單專家

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